教你如何看筆記本配置內存-電腦維護

2020-05-08 19:10 作者：admin

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如今筆記本的軟件容量是不斷增大、版本也是在不斷升級，在機器的性能就需要更強悍了。機器的性能是否強悍，在筆記本內存方面是有很大的影響的。 對于很多游戲玩家而言，他們一定都會對內存這個為CPU提供數據計算場所的PC重要部件的容量變化對游戲影響而深有體會。內存這個產品長久以來一直受制于處理器和主板芯片組技術的發展，它除了容量的不斷提高以外，更重要的在于要讓內存為處理器提供足夠寬的數據交換通道，也就是需要不斷的提高內存的傳輸帶寬來滿足處理器的發展需要。     目前主要的內存顆粒廠商有現代（Hynix）、三星（Samsung）、南亞（Nanya）、爾必達(ELPIDA) 、華邦（Winbond）、英飛凌（Infinoen）、美光（Micron）等等。而市面上許多品牌的內存條不外乎采用這幾家廠商的內存顆粒加工而成。
1、工作原理     DRAM的內部是一個存儲陣列，可以想象成一張表格，先指定一個行（Row），再指定一個列（Column）后，系統就可以準確地找到內存陣列中的某個單元格的數據，這就是內存芯片尋址的基本原理。對于內存，這個存儲陣列叫邏輯Bank（Logical Bank），一般內存都有4個或8個邏輯Bank。在內存的實際工作中，在某個邏輯Bank中查找與在邏輯bank的某行地址中查找的指令是同時發出的，這個命令稱之為“行激活”（Row Active）。在此之后，將發送列地址尋址命令與讀/寫命令，這兩個命令也是同時發出的，因此一般都會以“讀/寫命令”來表示列尋址。業界規定把從“行有效”到“讀/寫命令”發出之間的延遲時間定義為tRCD，即RAS to CAS Delay（RAS至CAS的延遲，RAS就是行地址選通脈沖，CAS就是列地址選通脈沖）。列地址也被選中之后，就會準備開始數據傳輸，但數據從存儲單元中輸出到出現在內存芯片的I/O接口之間還有一段的時間，這段時間就是CL延遲（CAS Latency，列地址脈沖選通潛伏期）。CL的數值與tRCD一樣，都是以時鐘周期數表示的。如果接下來要讀取的數據還是該bank同行中接著的數據，那么內存可以用一種叫做突發傳輸的方式工作，就是在選定行地址和列地址以后，如果是連續數據，那么可以不重新在該Bank中進行列選定，而直接傳輸當前行以后連續7列位置的數據（總共一次傳輸8列位置的數據）。而如果接下來的數據是同bank但是不同行位置的，那么就必須要先把當前行關閉，才能對其他行尋址。從開始關閉現有的工作行，到可以打開新的工作行之間的間隔就是tRP（Row Precharge command Period，行預充電有效周期），單位也是時鐘周期數。上面的CL、tRCD、tRP這三個內存參數都是絕對性能參數，在任何時候任何平臺下都應該是越小越好，調節的優先順序是CL→tRCD→tRP。
2、內存種類
    EDO：這種內存主要用于古老的MMX和486機型上面，也有部分廠家在PII的筆記本電腦中仍然使用EDO內存，這種EDO單條最高容量只有64M，而且由于EDO內存的工作電壓為5V和現在常用的SDRAM的3.3V相比更費電一些，所以很快就被SDRAM內存所取代。

    SDRAM：SDRAM是Intel提出的具有里程碑意義的內存技術。SDRAM的全稱是Synchronous Dynamic Random Access Memory(同步動態隨機存儲器)，就象它的名字所表明的那樣，這種RAM可以使所有的輸入輸出信號保持與系統時鐘同步。由于SDRAM的帶寬為64Bit，因此它只需要一條內存就可以工作，數據傳輸速度比EDO內存至少快了25％。SDRAM包括PC66、PC100、PC133等幾種規格。     DDR：顧名思義Double Data Rate(雙倍數據傳輸)的SDRAM。隨著臺式機DDR內存的推出，現在筆記本電腦也步入了DDR時代，有DDR266、DDR333和DDR400等規格，在Pentium4-M、Pentium-M等時期都是采用DDR內存，也有少量的Pentium3-M的機器早早跨入DDR時代。其實DDR的原理并不復雜，它讓原來一個脈沖讀取一次資料的SDRAM可以在一個脈沖之內讀取兩次資料，也就是脈沖的上升緣和下降緣通道都利用上，因此DDR本質上也就是SDRAM。相對于EDO和SDRAM，DDR內存更加省電（工作電壓僅為2.25V）、單條容量更加大（已經可以達到1GB）。     DDR2：DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯合委員會）進行開發的新生代內存技術標準，它與上一代DDR內存技術標準最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2內存卻擁有兩倍于上一代DDR內存預讀取能力（即：4bit數據讀預取）。換句話說，DDR2內存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數據，并且能夠以內部控制總線4倍的速度運行。
3、內存接口
　　接口類型是根據內存條金手指上導電觸片的數量來劃分的，金手指上的導電觸片也習慣稱為針腳數（Pin）。因為不同的內存采用的接口類型各不相同，而每種接口類型所采用的針腳數各不相同。筆記本內存一般采用144Pin、200Pin接口；臺式機內存則基本使用168Pin和184Pin接口。對應于內存所采用的不同的針腳數，內存插槽類型也各不相同。目前臺式機系統主要有SIMM、DIMM和RIMM三種類型的內存插槽，而筆記本內存插槽則是在SIMM和DIMM插槽基礎上發展而來，基本原理并沒有變化，只是在針腳數上略有改變。     列直插內存模塊（Single Inline Memory Module，SIMM）或雙列直插內存模塊（Dual Inline Memory Module，DIMM）來替代單個內存芯片。早期的EDO和SDRAM內存，使用過SIMM和DIMM兩種插槽，但從SDRAM開始，就以DIMM插槽為主。為了滿足筆記本電腦對內存尺寸的要求，SO-DIMM（Small Outline DIMM Module）也開發了出來，它的尺寸比標準的DIMM要小很多，而且引腳數也不相同。同樣SO-DIMM也根據SDRAM和DDR內存規格不同而不同，SDRAM的SO-DIMM只有144pin引腳，而DDR的SO-DIMM擁有200pin引腳。而在一些輕薄筆記本內，還有些機型使用與普通機型不同的Micro DIMM接口內存。
 
4、DDR2與DDR的區別： 延遲：
    雖然DDR2和DDR一樣，都采用了在時鐘的上升延和下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2擁有兩倍于DDR的預讀取系統命令數據的能力。也就是說，在同樣100MHz的工作頻率下，DDR的實際頻率為200MHz，而DDR2則可以達到400MHz。

    在同等工作頻率的DDR和DDR2內存中，后者的內存延時要慢于前者。舉例來說，DDR 200和DDR2-400具有相同的延遲，而后者具有高一倍的帶寬。實際上，DDR2-400和DDR 400具有相同的帶寬，它們都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作頻率是200MHz，而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz，也就是說DDR2-400的延遲要高于DDR400。
封裝：
    DDR內存通常采用TSOP芯片封裝形式，當工作頻率超過200MHz之后，頻率越高，它過長的管腳就會產生很高的阻抗和寄生電容，這會影響它的穩定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2內存均采用FBGA封裝形式。不同于目前廣泛應用的TSOP封裝形式，FBGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了良好的保障。
功耗：
    DDR2內存采用1.8V電壓，相對于DDR標準的2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發熱量。
DDR2采用的新技術：

    DDR2還引入了三項新的技術，它們是OCD、ODT和Post CAS。

    OCD（Off-Chip Driver）：也就是所謂的離線驅動調整，DDR II通過OCD可以提高信號的完整性。

    ODT：ODT是內建核心的終結電阻器。DDR2可以根據自已的特點內建合適的終結電阻，這樣可以保證最佳的信號波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，還得到了最佳的信號品質，這是DDR不能比擬的。

    Post CAS：它是為了提高DDR II內存的利用效率而設定的。

DDR2規格	傳輸標準	核心頻率	總線頻率	等效傳輸頻率	數據傳輸率
DDR2 400	PC2 3200	100MHz	200MHz	400MHz	3200MB/s
DDR2 533	PC2 4300	133MHz	266MHz	533MHz	4300MB/s
DDR2 667	PC2 5300	166MHz	333MHz	667MHz	5300MB/s
DDR2 800	PC2 6400	200MHz	400MHz	800MHz	6400MB/s

    由于DDR2內存的功耗更低（工作電壓僅為1.8V），提升頻率空間更大，雖然在延遲相比DDR要高一些，不過還是受到眾多廠商的青睞。迅馳二代后期，DDR2開始逐漸的普及起來，到目前為止，市面上主流的筆記本產品都已經采用了DDR2內存，但由于仍有大量采用DDR內存的機型正在使用，所以還有不少廠商推出DDR內存。
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